PCRAM - Neue Speichergeneration steht vor der Tür

Samsung zeigt ersten funktionsfähigen Prototypen - Massenproduktion ab 2008 - Seoul (pte/11.09.2006/12:40) - Der koreanische Elektronikhersteller Samsung http://www.samsung.com hat am Montag, bei einer Pressekonferenz in Seoul bekannt gegeben, dass man den ersten funktionstüchtigen Prototypen eines PCRAM-Bausteins entwickelt habe. PCRAM (Phase Change Random Access Memory) soll innerhalb des nächsten Jahrzehnts die heutzutage in Rechner eingesetzten "High Density NOR Flash Chips" ersetzen. Beim vorgestellten Prototypen handelt es sich um einen 512 Megabit-Baustein. Gleichzeitig wurde ein neuer SoC (System on Chip) für die bald am Markt erhältlichen Hybrid-HDDs präsentiert. PCRAM (oder PRAM) soll gegenüber NOR-Flash zahlreiche Vorteile aufweisen. Laut Samsung sei das Hauptargument für PCRAM die höhere Schreibgeschwindigkeit. Der Grund dafür liege darin, dass vor dem Schreibzugriff nicht erst größere Datenblöcke gelöscht werden müssten. Effektiv sei PCRAM 30 mal schneller als herkömmliche Flash-Speichersteine. Zudem erwartet Samsung eine etwa zehnfach höhere Zahl an Lese- und Schreibzyklen.

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